this is RAM

“DRAM은 PC나 워크스테이션에 사용되는 가장 일반적인 종류의 램이다. 메모리는 컴퓨터가 데이터를 빠르게 액세스할 수 있게 0과 1의 형태로 저장할 수 있도록 전기적으로 충전된 점들의 네트웍이다. 랜덤 액세스라는 말은 프로세서가 어떤 시작 위치로부터 차례로 진행해야 하는 것이 아니라, 메모리 또는 데이터 저장공간의 어떤 부분이라도 직접 액세스 할 수 있다는 의미를 갖는다. DRAM은 SRAM과는 달리 주기적으로 수 밀리초 마다 한번씩 새로운 전하를 가함으로써 메모리 셀을 재생시켜 주어야한다. SRAM은 메모리 셀이 전하를 제자리에 붙잡고 있는 대신에 전류가 둘 중 하나의 방향으로 전환되며 움직이는 원리로 동작하기 때문에 재생회로가 필요치 않다. SRAM은 일반적으로 DRAM보다 더 빨리 액세스할 수 있는 캐시 메모리에 사용된다.”

 

CAS(column address strobe), DRAM 칩에 액세스 하는데 사용되는 중요 시그널 중 하나이다. CAS는 관련된 열 주소를 알려주기 위해 DRAM에 보내지는 신호이다. DRAM의 데이터 비트는 행 주소와 열 주소의 교점에 위치하는 하나의 셀 안에 저장된다. 행 주소를 확인하기 위해서는 RAS 신호가 사용된다.

 

SDRAM

Syncronous DRAM으로 외부 Clock에 동기되어 동작하므로 SDRAM 이라고 하며 Clock의 Rising Edge에 동기되어 동작한다 SDRAM의 어드레싱 기본원리는 column address, row address, bank address가 바로 (x,y,z)가 되어 직육면체의 어느 한 곳(=한바이트)를 지정하게 된다

 

SDRAM의 액세스 동작의 순서는 nCS와 RAS(Row Address Strobe)신호를 활성화 시켜서 Row Address를 주소버스에 실어준다. 그 다음 RAS를 비활성화 시키고 CAS(Column Address
Strobe)신호를 활성화 시키고, 읽기나 쓰기 동작에 따라서 nWE신호를 주면 되는 것이다.

결국 원하는 특정주소를 지정하고 나면, 거기서부터 Column Address를 하나씩 증가시켜 가며 데이터를 버스트하게 액세스하는 것이다. 모든 동작은 CLK이라는 클럭에 positive edge에 동기되어 동작한다. 여기서 CAS latency 라는 용어가 대두되는데, read 커맨드와 첫번째 유효한 데이타 사이의 딜레이이다. 단위는 clock cycle이고, 보통 2,3 의 값을 갖는다. 즉, 2,3번 클럭 사이클 이후에 실제 데이터가 데이타버스에 실린다는 뜻이다.

SDRAM의 read, write 액세스 동작은 버스트(burst) 지향적이다. 이 말은 특정 어드레스의
데이타를 액세스할때, 한 바이트만을 하는게 아니라 한번에 여러 바이트를 액세스한다는 의미이다.  burst length는 칩마다 다른데 보통 1,2,4,8, full page 정도이다.

[참고자료]
http://www.parkoz.com/zboard/view.php?id=overclock_tech&no=314